林蘭英 女，

　　(1918.2.7~2003.3.4)，

　　半導體材料科學家。福建莆田市人， 畢業于莆田市第一中學,

　　1940年，畢業于福建協和大學。

　　1948年，赴美國迪金森學院數學系留學。

　　1949年，獲迪金森學院數學學士學位。進入賓夕法尼亞大學研究生院學習。

　　1950年，獲賓夕法尼亞大學物理學碩士學位。

　　1955年，獲美國賓州大學博士學位，任紐約索菲亞公司高級工程師。

　　1957年，回到祖國，受到周恩來總理親切接見，回國后歷任中國科學院半導體研究所研究員，副所長，中國科協副主席，全國人大代表、常委。一直從事半導體材料科學研究工作，是我國半導體科學事業開拓者之一。先后負責研制成我國第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，為我國微電子和光電子學的發展奠定了基礎；負責研制的高純度汽相和液相外延材料達到國際先水平。近年來，與蘭州物理研究所達道安所長一道開創了我國微重力半導體材料科學研究新領域，并在砷化鎵晶體太空生長和性質研究方面取得了世人矚目的成績。

　　1958年，研制出中國第一根硅單晶。

　　1961年，研制出中國第一臺開門式硅單晶爐。

　　1962年，研制出中國第一根砷化鎵單晶，達到國際最高水平。

　　1964年，研制出中國第一只砷化鎵二極管激光器。

　　1974年，第一次提出用汽相外延和液相外延法制取砷化鎵單晶，至今還處于國際領先水平。

　　1980年，當選為中國科學院院士（學部委員）。

　　她從事半導體材料科學40余年，是中國半導體材料科學的奠基人和開拓者。她率先組織和領導了我國生長硅單晶、銻化銦、砷化鎵和磷化鎵單晶的研究，并首先獲得了上述半導體單晶。為在我國率先研究半導體集成電路和光電子器件的單位提供了多種半導體單晶材料，并向全國推廣上述單晶生長技術和相應的材料測試技術，為我國微電子學和光電子學的開創奠定了基礎。參與組織領導4千位16千位大規模集成電路-MOS隨機存儲器的研制，

　　1980、1982年，當選為中國科學院院士，兩次獲得中科院科技進步一等獎。她指導的高純砷化鎵液相外延和氣相外延材料研究達到國際先進水平，其中高純砷化鎵氣相外延研究至今仍然保持著采用鹵化系統的國際最高水平。

　　1981年，獲中科院科技進步一等獎，

　　1985年，獲國家科技進步二等獎。

　　1987年，首次在世界上在微重力條件下從熔體中生長砷化鎵單晶獲得成功。以后又相繼四次在我國返回式衛星上生長生長砷化鎵單晶，在空間晶體生長、材料物理研究及器件應用等方面取得了許多令世界同行矚目的科研成果。利用空間生長的半絕緣砷化鎵制造的微波低噪聲場效應晶體管和模擬開關集成電路的特性及優質品率顯著提高。

　　1987年，研制出中國第一臺雙束離子機。

　　1989年，獲中科院科技進步一等獎，

　　1990年，獲國家科技進步三等獎，

　　1996年，獲何梁何利科技進步獎，

　　1998年，獲霍英東成就獎。

責編：林芳斌